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SSC8122GS9
N沟道增强型MOSFET，采用高密度单元和DMOS沟槽技术，适用于低电压应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8122GS9
- 商品编号
- C19712395
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012913克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 86pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
- 307-PCM/05-033
- 3070-PCM/07-033
- 3070-PCM/08-033
- 110-M-221-SMD/02
- 110-M-221-SMD/03
- 110-M-221-SMD/04
- AMP0402HR22MT
- AMP0402HR47MT
- AMP0402H3R3MT
- AMP0603H5R6MT
- AMP0603H150MT
- AMP0603H330MT
- AMP0605H4R7MT
- AMP0705H100MT
- AMP0705H220MT
- AMP1004H2R2MT
- AMP1004H150MT
- AMP1005H2R2MT
- AMP1707H2R2MT
- SDNT0402C103F3380FTF
- SDNT0402C104F4250FTF