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AGM314MD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- AGM314MD将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM314MD
- 商品编号
- C19633873
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V；13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 618pF；689pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF；88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF；101pF |