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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

YJG130G04CQ

N沟道增强型场效应晶体管

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描述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJG130G04CQ
商品编号
C19631619
商品封装
PDFN5060-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.19696克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)129nC@10V
输入电容(Ciss)7.4nF@25V
反向传输电容(Crss)70pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.34nF

商品概述

  • 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
  • 出色的散热封装
  • 高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(ON))
  • 湿度敏感度等级 1 级
  • 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
  • 无卤
  • 型号后缀为“Q”表示符合 AEC-Q101 标准

商品特性

  • 漏源电压(VDS)40V
  • 漏极电流(ID)130A
  • 漏源导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = 10V 时)< 1.9mΩ
  • 漏源导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = 4.5V 时)< 2.8mΩ
  • 100% 进行了 EAS 测试
  • 100% 进行了 ▽VDS 测试

应用领域

-功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器

数据手册PDF