M93C56-RDS6TG

这些电可擦除可编程存储器（EEPROM）器件通过串行数据输入（D）和串行数据输出（Q）使用MICROWIRE总线协议进行访问。存储器阵列组织可分为字节（x8）或字（x16），可通过组织选择（ORG）上施加的信号进行选择。M93C06仍在生产中，但不推荐用于新设计。

• 符合行业标准的MICROWIRE总线
• 单电源电压：M93Cx6为4.5V至5.5V；M93Cx6-W为2.5V至5.5V；M93Cx6-R为1.8V至5.5V
• 双重组织方式：按字（x16）或字节（x8）
• 编程指令适用于字节、字或整个存储器
• 自定时编程周期，带自动擦除
• 编程期间提供就绪/忙信号
• 速度：1MHz时钟频率、10ms写入时间（工艺标识字母F或M的当前产品）；2MHz时钟频率、5ms写入时间（工艺标识字母W的新产品）
• 顺序读取操作
• 增强的ESD/闩锁性能
• 超过100万次擦除/写入循环
• 超过40年数据保留期
• 封装类型：PDIP8（BN）、SO8（MN，150密耳宽度）、TSSOP8（DS，3×3mm尺寸）、TSSOP8（DW，169密耳宽度）
• 读取指令将首个字节或字的地址加载到内部地址寄存器，数据串行输出；地址寄存器在数据输出后自动递增，若芯片选择输入（S）保持高电平，可输出连续数据流；地址计数器在达到最高地址时自动回滚至00h
• 编程为内部自定时，写入指令前无需擦除周期；写入指令一次写入8或16位到M93Cx6的一个字节或字位置；编程周期开始后，当芯片选择输入（S）被驱动为高电平时，串行数据输出（Q）上可获得忙/就绪信号
• 内部上电数据保护机制在电源过低时禁止器件工作