JS28F00AP33EF0

Name: micron(镁光) JS28F00AP33EF0
Brand: micron(镁光)
SKU: C19622571
Price: 132.69 CNY
Availability: OutOfStock

512Mb、1Gb、2Gb容量，65nm工艺P33闪存

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: JS28F00AP33EF0
商品编号: C19622571
商品封装: TSOP-56
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；上电复位

商品特性

高性能
易封装BGA封装特点
512Mb、1Gb易封装BGA的初始访问时间为95ns
2Gb易封装BGA的初始访问时间为100ns
25ns的16字异步页读取模式
52MHz（易封装BGA），零等待状态和17ns时钟到数据输出的同步突发读取模式
突发模式有4字、8字、16字和连续字选项
TSOP封装特点
512Mb、1Gb TSOP的初始访问时间为105ns
易封装BGA和TSOP封装共同特点
使用512字缓冲区，以2MB/s（典型值）的速度进行缓冲增强工厂编程（BEFP）
使用512字缓冲区，以1.46MB/s（典型值）的速度进行3.0V缓冲编程
架构
MLC：以最低成本实现最高密度
对称块架构（512Mb、1Gb、2Gb）
非对称块架构（512Mb、1Gb）；四个32KB参数块：顶部或底部配置
128KB主块
空白检查以验证已擦除的块
电压和功率
VCC（核心）电压：2.3 - 3.6V
VCCQ（I/O）电压：2.3 - 3.6V
待机电流：512Mb为70μA（典型值）；1Gb为75μA（典型值）
52MHz连续同步读取电流：21mA（典型值），24mA（最大值）
安全
一次性可编程寄存器：64个OTP位，用美光的唯一信息编程；2112个OTP位可供客户编程
绝对写保护：VPP = VSS
电源转换擦除/编程锁定
单个零延迟块锁定
单个块锁定
密码访问
软件
25μs（典型值）编程暂停
25μs（典型值）擦除暂停
闪存数据集成器优化
基本命令集和扩展功能接口（EFI）命令集兼容
通用闪存接口
密度和封装
56引脚TSOP封装（512Mb、1Gb）
64球易封装BGA封装（512Mb、1Gb、2Gb）
16位宽数据总线
质量和可靠性
符合JESD47标准
工作温度：-40°C ~ +85°C
每个块最少100,000次擦除循环
65nm工艺技术

数据手册PDF

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