IS29LV032T-70TLI

32兆位闪存内存

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS29LV032T-70TLI
商品编号: C19622378
商品封装: TSOP-48
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	写周期时间(Tw)	70ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

IS29LV032T/B是一款32兆位、电可擦除的读写非易失性闪存，可组织为4,194,304字节或2,097,152字，提供顶部或底部引导配置。任何字通常可在15μs内编程。IS29LV032T/B具有3.0V电压读写操作功能，访问时间最快可达70ns，可消除高性能微处理器系统中对等待状态的需求。

IS29LV032T/B具有独立的输出使能（OE#）、芯片使能（CE#）和写使能（WE#）控制，可消除总线争用问题。该器件设计为允许单扇区或全芯片擦除操作，每个扇区可单独防止编程/擦除操作，或临时取消保护以进行擦除或编程。该器件每个扇区至少可承受100K次编程/擦除循环。

商品特性

单电源供电
全电压范围：2.7至3.6伏读写操作
高性能
访问时间70ns
90ns器件（联系厂家）
低功耗（5MHz典型值）
典型有源读取电流9mA
典型编程/擦除电流20mA
待机或自动睡眠模式下电流小于1μA
灵活的扇区架构
八个8KB扇区，六十三个64KB扇区
顶部或底部引导用8KB扇区
扇区组保护：硬件锁定扇区，防止单个扇区内的编程或擦除操作
此外，临时扇区解锁允许对先前锁定的扇区进行代码更改
安全硅扇区
提供一个128字的区域，用于永久保护代码或数据
一旦该扇区受到保护，禁止再次对该扇区内进行编程或擦除
高性能编程/擦除速度
字编程时间：典型值15μs
扇区擦除时间：典型值100ms
芯片擦除时间：典型值8s
符合JEDEC标准
标准DATA#轮询和切换位功能
擦除暂停/恢复模式
在擦除暂停模式下读取和编程另一个扇区
支持JEDEC通用闪存接口（CFI）
低Vcc写禁止 < 2.5V
最小100K次编程/擦除耐久性循环
RESET#硬件复位引脚
硬件方法将器件复位到读取模式
WP#/ACC输入引脚
写保护（WP#）功能允许保护最外层的两个引导扇区，无论扇区保护状态如何
加速（ACC）功能提供加速编程时间
封装选项
48引脚TSOP（类型1）
48球6mm x 8mm TFBGA（联系厂家）
工业温度范围（-40至85°C）
汽车级范围（联系厂家）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	32Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	5uA