- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTBV5605T4G
NTBV5605T4G
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBV5605T4G
- 商品编号
- C19619586
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 211pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 专为低 RDS(on) 设计
- 在雪崩和换向模式下可承受高能量
- 通过 AEC Q101 认证 - NTBV5605
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-电源-PWM 电机控制-转换器-电源管理