G3VM-61FR
商品参数
参数完善中
商品概述
新型高负载MOS FET继电器,允许切换2A连续负载电流
- 采用1通道8引脚封装设计。
- 最大导通电阻为0.12Ω。
- 输出端开路时,输出端之间的漏电流为1.0 nA(典型值)。
- 符合RoHS标准。
应用领域
- 半导体测试器
- 测量设备
- 安全系统
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