- 引脚图
- 焊盘图
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STGD10NC60SDT4
STGD10NC60SDT4
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD10NC60SDT4
- 商品编号
- C19612548
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 18A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 25A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.45V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.75V；3.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 365pF | |
| 输出电容(Coes) | 44pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | 60uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 340uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 22ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该IGBT采用先进的PowerMESHTM工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
商品特性
- 针对高达5 kHz的中等工作频率在硬开关中进行了性能优化
- 低导通电压降（VcE(sat)）
- 非常软的超快反并联二极管
应用领域
电机驱动