AT28HC256F-12SC
高速、低功耗、高可靠性 EEPROM
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- AT28HC256F-12SC
- 商品编号
- C19612088
- 商品封装
- SOIC-28
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 写周期时间(Tw) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期寿命 | 1万次 | |
| 功能特性 | 内置错误纠正码(ECC)功能；硬件写保护功能；软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
AT28HC256是一款高性能电可擦除可编程只读存储器。其256K的内存组织为32,768字×8位。采用爱特梅尔（Atmel）先进的非易失性CMOS技术制造，AT28HC256的访问时间可达70 ns，功耗仅440 mW。当AT28HC256未被选中时，待机电流小于5 mA。 AT28HC256在读写周期的操作方式与静态随机存取存储器（SRAM）类似，无需外部组件。该器件包含一个64字节的页寄存器，允许同时写入多达64字节的数据。在写周期期间，地址和1至64字节的数据会在内部锁存，从而释放地址和数据总线以供其他操作使用。写周期启动后，器件将使用内部控制定时器自动写入锁存的数据。通过对I/O7进行数据轮询可以检测写周期的结束。一旦检测到写周期结束，就可以开始新的读写访问。 爱特梅尔的28HC256具有额外的特性，以确保高质量和可制造性。该器件利用内部纠错功能来延长使用寿命并改善数据保留特性。还提供可选的软件数据保护机制，以防止意外写入。此外，该器件还包含额外的64字节EEPROM，用于设备识别或跟踪。
商品特性
- 快速读取访问时间 - 70 ns
- 自动页写入操作
- 64字节的内部地址和数据锁存器
- 内部控制定时器
- 快速写入周期时间
- 页写入周期时间：最长3 ms或10 ms
- 1至64字节的页写入操作
- 低功耗
- 80 mA工作电流
- 3 mA待机电流
- 硬件和软件数据保护
- 用于检测写入结束的数据轮询
- 高可靠性CMOS技术
- 耐用性：10⁴或10⁵个周期
- 数据保留时间：10年
- 单5V ± 10%电源
- CMOS和TTL兼容的输入和输出
- JEDEC批准的字节宽引脚排列
- 全、商用和工业温度范围
- 绿色（无铅/无卤化物）封装选项