商品参数
参数完善中
商品概述
NPT2022硅基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)耗尽型(D-Mode)放大器针对直流至2 GHz工作频率进行了优化。该器件支持连续波(CW)、脉冲和线性工作模式,采用带螺栓固定法兰的行业标准塑料封装,输出功率可达100 W。
商品特性
- 硅基氮化镓高电子迁移率晶体管耗尽型放大器
- 适用于线性和饱和应用
- 可在直流至2 GHz范围内调谐
- 48 V工作电压
- 在900 MHz时增益为20 dB
- 在900 MHz时漏极效率为60%
- 100%射频测试
- TO-272封装
- 符合RoHS标准,兼容260°C回流焊