NPT2022

这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。

• 硅基氮化镓高电子迁移率晶体管耗尽型放大器
• 适用于线性和饱和应用
• 可在直流至2 GHz范围内调谐
• 48 V工作电压
• 在900 MHz时增益为20 dB
• 在900 MHz时漏极效率为60%
• 100%射频测试
• TO-272封装
• 符合RoHS标准,兼容260°C回流焊