NPT2022

这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。

• 漏源电压VDS = 80 V，漏极电流ID = 130 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 3.3 mΩ
• 低栅极电荷
• 提供环保型器件
• 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
• 采用散热性能良好的封装