- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 160V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 栅极电压(Vgs) | 3V |
商品概述
NPT2022硅基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)耗尽型(D-Mode)放大器针对直流至2 GHz工作频率进行了优化。该器件支持连续波(CW)、脉冲和线性工作模式,采用带螺栓固定法兰的行业标准塑料封装,输出功率可达100 W。
商品特性
- 硅基氮化镓高电子迁移率晶体管耗尽型放大器
- 适用于线性和饱和应用
- 可在直流至2 GHz范围内调谐
- 48 V工作电压
- 在900 MHz时增益为20 dB
- 在900 MHz时漏极效率为60%
- 100%射频测试
- TO-272封装
- 符合RoHS标准,兼容260°C回流焊