MT28F800B3WP-9 T
8Mb SMART 3 启动块闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28F800B3WP-9 T
- 商品编号
- C19610721
- 商品封装
- TSOPI-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位 |
商品概述
MT28F008B3（x8）和MT28F800B3（x16/x8）是低压、非易失性、电可块擦除（闪存）可编程存储设备，包含8388608位，组织为524288字（16位）或1048576字节（8位）。设备的写入和擦除使用3.3V或5V的VPP电压，而所有操作均使用3.3V的VCC。由于工艺技术的进步，5V VPP对于应用和生产编程是最优的。这些设备采用美光先进的0.18μm CMOS浮栅工艺制造。MT28F008B3和MT28F800B3被组织成11个可单独擦除的块。为确保关键固件免受意外擦除或覆盖，设备具有硬件保护的引导块。该块可用于存储在低级系统恢复中实现的代码。其余块的密度不同，且在写入和擦除时无需额外的安全措施。
商品特性
- 十一个擦除块：16KB/8K字引导块（受保护）、两个8KB/4K字参数块、八个主存储块
- Smart 3技术（B3）：VCC为3.3V ±0.3V；3.3V ±0.3V VPP应用编程；5V ±10% VPP应用/生产编程；与0.3μm Smart 3设备兼容
- 先进的0.18μm CMOS浮栅工艺
- 地址访问时间：90ns
- 100000次擦除循环
- 行业标准引脚排列
- 输入和输出完全与TTL兼容
- 自动写入和擦除算法
- 双周期写入/擦除序列
- 提供TSOP、SOP和FBGA封装选项
- 字节或字宽的读取和写入（MT28F800B3：1M x 8/512K x 16）