M93C56-MN6P

16 Kbit、8 Kbit、4 Kbit、2 Kbit和1 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M93C56-MN6P
商品编号: C19610512
商品封装: SO-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

商品概述

M93C46（1 Kbit）、M93C56（2 Kbit）、M93C66（4 Kbit）、M93C76（8 Kbit）和M93C86（16 Kbit）是通过MICROWIRE总线协议访问的电可擦可编程存储器（EEPROM）器件。M93Cx6器件的工作电压范围为4.5 V至5.5 V，M93Cx6-W器件为2.5 V至5.5 V，M93Cx6-R器件为1.8 V至5.5 V。存储器阵列可配置为字节（x8b）或字（x16b）模式。读数据指令（READ）将待读取的第一个字节或字的地址加载到内部地址寄存器中，该地址的数据随后串行输出。地址寄存器在数据输出后自动递增，若芯片选择输入（S）保持高电平，M93Cx6可输出连续数据流，地址计数器在达到最高地址时自动回滚至00h。编程为内部自定时（串行时钟（C）上的外部时钟信号在写入周期开始后可停止或继续运行），且写入指令前无需擦除周期。写入指令每次向M93Cx6的一个字节或字位置写入8或16位数据。编程周期开始后，串行数据输出（Q）上会提供忙/就绪信号。

商品特性

工业标准MICROWIRE总线
单电源电压：M93Cx6为4.5 V至5.5 V，M93Cx6-W为2.5 V至5.5 V，M93Cx6-R为1.8 V至5.5 V
双组织模式：字（x16）或字节（x8）
适用于字节、字或整个存储器的编程指令
带自动擦除的自定时编程周期（5 ms）
编程期间的READY/BUSY信号
2 MHz时钟速率
顺序读取操作
增强的ESD/闩锁性能
超过100万次写入周期
超过40年数据保留期
可用封装：SO8、TSSOP8、UFDFPN8（符合RoHS标准且无卤素，ECOPACK2®）；PDIP8（符合RoHS标准，ECOPACK1®）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	-
	存储容量	2Kbit
	时钟频率(fc)	2MHz
	写周期时间(Tw)	5ms
	数据保留 - TDR(年)	40年
	写周期寿命	100万次

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；噪声抑制功能
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	2mA
	待机电流	15uA
	读取访问时间(tA)	-