CTLDM7590 TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.7pF |
商品概述
CTLDM7590是一款增强型P沟道MOSFET,适用于高速脉冲放大器和驱动器等应用。该MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)、低阈值电压和极低栅极电荷的优点。
商品特性
- 高达2 kV的静电放电(ESD)保护
- 功耗:125 mW
- 低导通电阻rDS(ON)
- 低阈值电压
- 超小超薄,尺寸为0.6 mm × 0.8 mm × 0.4 mm的TLM无引脚表面贴装封装
应用领域
-负载/电源开关-升压/降压转换器-电池充电/电源管理