DKI03082
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30V(漏极电流 ID = 100μA)
- 漏极电流(ID):29A
- 导通电阻(RDS(ON)):最大 8.8 mΩ(栅源电压 VGS = 10V,漏极电流 ID = 25A)
- 栅极总电荷(Qg):7.1 nC(栅源电压 VGS = 4.5V,漏源电压 VDS = 15V,漏极电流 ID = 31.5A)
- 低栅极总电荷
- 高速开关
- 低导通电阻
- 支持 4.5V 栅极驱动
- 经过 100% 非钳位感性负载(UIL)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 同步整流
- 电源
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