W25Q80BVSNIG TR

W25Q80BV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备在2.5V至3.6V的单电源下工作，工作电流低至4mA，掉电电流低至1μA。 W25Q80BV阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q80BV分别有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4KB扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。 W25Q80BV支持标准串行外设接口（SPI），以及高性能双/四输出和双/四I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。支持高达104MHz的SPI时钟频率，使用快速读取双/四I/O指令时，双I/O的等效时钟速率可达208MHz（104MHz×2），四I/O的等效时钟速率可达416MHz（104MHz×4）。这些传输速率可以超过标准的异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许以低至8个时钟的指令开销高效访问内存以读取24位地址，从而实现真正的XIP（原地执行）操作。 保持引脚、写保护引脚和可编程写保护，以及顶部、底部或互补阵列控制，提供了进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准的制造商和设备识别，并带有64位唯一序列号。

• SpiFlash存储器系列
• W25Q80BV：8M位/1M字节（1048576）
• 每个可编程页面256字节
• 标准SPI：CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold
• 双SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
• 四SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3