- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M25P40-VMN3TPB TR
4 Mbit低压串行闪存，带75 MHz SPI总线接口
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M25P40-VMN3TPB TR
- 商品编号
- C19592868
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 75MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 15ms | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
这是一款闪存存储产品，具备4Mbit存储容量，支持SPI总线兼容串行接口。
商品特性
- 4 Mbit闪存容量
- 2.3V至3.6V单电源电压
- SPI总线兼容串行接口
- 最大75 MHz时钟速率
- 页编程（最多256字节）典型时间0.8 ms
- 扇区擦除（512 Kbit）典型时间0.6 s
- 批量擦除（4 Mbit）典型时间4.5 s
- 深度掉电模式典型电流1 μA
- 硬件写保护：保护区域大小由三个非易失性位（BP0、BP1和BP2）定义
- 电子签名：JEDEC标准两字节签名（2013h）；ID码（UID）含16字节只读（需客户请求）；RES指令一字节签名（12h）用于向后兼容
- 封装：RoHS合规；提供汽车级部件；可选封装包括SO8(MN)150 mil宽度、SO8W(MW)208 mil宽度、DFN8(MS)MLP8 6×5 mm、VFDFPN8(MP)MLP8 6×5 mm、UFDFPN8(MB)MLP8 2×3 mm、UFDFPN8(MC)MLP8 4×3 mm