- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NAND512W3A2CZA6E
512-Mbit，528 字节/264 字页，1.8 V/3 V，SLC NAND 闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- NAND512W3A2CZA6E
- 商品编号
- C19592711
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；电源锁定保护功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高密度NAND闪存
- 512兆位存储阵列
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- NAND接口
- x8或x16总线宽度
- 复用地址/数据
- 电源电压：1.8V、3V
- 页面大小：
- x8设备：(512 + 16备用)字节
- x16设备：(256 + 8备用)字
- 块大小：
- x8设备：(16K + 512备用)字节
- x16设备：(8K + 256备用)字
- 页面读取/编程：
- 随机访问：12μs (3V)/15μs (1.8V)（最大）
- 顺序访问：30ns (3V)/50ns (1.8V)（最小）
- 页面编程时间：200μs（典型值）
- 回写编程模式
- 快速块擦除：2ms（典型值）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- 安全特性
- 一次性可编程(OTP)区域
- TSOP48 12 x 20mm (N)
- VFBGA55 8 x 10 x 1.05mm (ZD)
- VFBGA63 9 x 11 x 1.05mm (ZA)
- 序列号（唯一ID）选项
- 硬件数据保护
- 电源转换期间编程/擦除锁定
- 数据完整性：
- 100,000次编程/擦除循环（带ECC）
- 10年数据保留
- 符合RoHS标准的封装
- 开发工具：
- 纠错码模型
- 坏块管理和损耗均衡算法
- 硬件仿真模型