MT28F400B5SP-8 T
4Mb SMART 5 启动块闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28F400B5SP-8 T
- 商品编号
- C19587804
- 商品封装
- SOP-44
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 4Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
MT28F004B5（x8）和MT28F400B5（x16、x8）是非易失性、电可块擦除（闪存）、可编程只读存储器，包含4194304位，组织为262144字（16位）或524288字节（8位）。使用5V VPP电压进行设备的写入或擦除，而所有操作均使用5V VCC进行。由于工艺技术的进步，5V VPP对于应用和生产编程是最优的。这些设备采用美光先进的0.18μm CMOS浮栅工艺制造。 MT28F004B5和MT28F400B5被组织成七个可单独擦除的块。为确保关键固件免受意外擦除或覆盖，这些设备具有硬件保护的引导块。写入或擦除引导块需要向RP#引脚施加超电压，或在执行正常写入或擦除序列的同时将WP#驱动为高电平。此块可用于存储在低级系统恢复中实现的代码。其余块的密度不同，并且在没有额外安全措施的情况下进行写入和擦除。
商品特性
- 七个擦除块：
- 16KB/8K字引导块（受保护）
- 两个8KB/4K字参数块
- 四个主存储块
- Smart 5技术（B5）：
- 5V ±10% VCC
- 5V ±10% VPP应用/生产编程
- 先进的0.18μm CMOS浮栅工艺
- 与0.3μm Smart 5设备兼容
- 地址访问时间：80ns
- 100000次擦除循环
- 行业标准引脚排列
- 输入和输出完全与TTL兼容
- 自动写入和擦除算法
- 双周期写入/擦除序列
- 字节或字宽读取和写入（MT28F400B5，256K x 16/512K x 8）
- 仅字节宽读取和写入（MT28F004B5，512K x 8）
- TSOP和SOP封装选项