N25Q064A11EF640F
N25Q064A11EF640F
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- N25Q064A11EF640F
- 商品编号
- C19586212
- 商品封装
- VDFPN-8(5x6)(MLP8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品特性
- 兼容SPI的串行总线接口,最高时钟频率108 MHz
- 单电源电压1.7 - 2.0V
- 双/四I/O指令可将吞吐量提高至432 MHz
- 支持扩展SPI、双I/O和四I/O协议
- 三种协议均支持即取即用(XIP)模式
- 可通过易失性或非易失性寄存器进行配置
- 使存储器在上电后可直接在XIP模式下工作
- 支持编程/擦除暂停操作
- 可通过单条命令连续读取整个存储器
- 支持快速读取
- 支持四输出或双输出快速读取
- 支持四I/O或双I/O快速读取
- 灵活适配应用
- 可配置空周期数量
- 输出缓冲器可配置
- 支持软件复位
- 具有64字节、用户可锁定、一次性可编程(OTP)专用区域
- 具备擦除能力:
- 可进行4KB统一粒度块的子扇区擦除
- 可进行64KB统一粒度块的扇区擦除
- 可进行全芯片擦除
- 写保护:
- 可通过易失性锁定位对每个64KB扇区进行软件写保护
- 硬件写保护:受保护区域大小由五个非易失性位(BP0、BP1、BP2、BP3和TB)定义
- 可根据需求提供额外的智能保护
- 电子签名:
- JEDEC标准2字节签名(BB17h)
- 唯一ID代码(UID):17个只读字节,包括:
- 两个额外的扩展设备ID(EDID)字节,用于识别设备工厂选项
- 定制工厂数据(14字节)
- 每个扇区最少100,000次擦除循环
- 数据保留时间超过20年
- 采用JEDEC标准封装,均符合RoHS标准:
- F6 = V - PDFN - 6mm × 5mm(MLP8 6mm × 5mm)
- F8 = V - PDFN - 8mm × 6mm(MLP8 8mm × 6mm)
- 12 = T - PBGA - 24b 056mm × 8mm
- SF = SOP2 - 16 300 mils体宽(SO16W)
- SE = SOP2 - 8 208 mils体宽(SO8W)
- 53 = XF - SCSP - 8 / 2.93mm × 3.5mm(XFCSP)
- M29W128GH70N3F
- TVP00DZ-19-35B
- 94611-111HLF
- DSC8102AI5-PROGRAMMABLE
- 78SR153VC
- C322C333K1R5CA
- GRM1886T1H9R1DD01D
- 4609M-901-101LF
- 766141224G
- 767161334G
- D38999/24ME8BC
- ECP-U1E153JB5
- GRM1555C1H8R0BZ01J
- KIT1925MMA1270D
- 1808YA250151JKRSYS
- 382LX123M100N082
- DSC1103BI2-200.0000
- GQM1885C1H390GB01D
- HFE4190-441
- D38999/24ME99HE-LC
- OTBH105KNPIR


