AT27C080-90JI

AT27C080芯片是一款低功耗、高性能的8388608位紫外线可擦除可编程只读存储器（EPROM），组织形式为1M×8位。AT27C080在正常读取模式操作下仅需一个5V电源。任何字节都可以在小于90ns的时间内访问，从而消除了高性能微处理器系统中降低速度的等待状态的需求。

爱特梅尔（Atmel）的缩放CMOS技术提供了低有源功耗和快速编程能力。有源模式下功耗通常为10mA，待机模式下小于10μA。

AT27C080有多种封装可供选择，包括一次性可编程（OTP）塑料PLCC、PDIP、SOIC（SOP）和TSOP，以及带窗口的陶瓷Cerdip。所有器件都具有双线控制（CE、OE），使设计人员能够灵活避免总线争用。

凭借1M字节的高密度存储能力，AT27C080允许可靠地存储固件，并使系统能够在不受到大容量存储介质延迟的情况下访问固件。

爱特梅尔的27C080具有额外的特性，以确保高质量和高效的生产使用。Rapid™编程算法减少了对器件进行编程所需的时间，并保证可靠编程。编程时间通常仅为50μs/字节。集成产品识别码以电子方式识别器件和制造商。此特性被行业标准编程设备用于选择合适的编程算法和电压。

AT27C080的整个存储阵列在暴露于波长为2537Å的紫外线下后被擦除（所有输出读取为VOH）。使用强度为12000μW/cm²、距离芯片一英寸的灯，在最少20分钟的曝光后可确保完全擦除。其他强度等级的灯的最小擦除时间可以根据最小集成擦除剂量15W·sec/cm²计算得出。为防止意外擦除，建议使用不透明标签覆盖任何将暴露于连续室内荧光灯或阳光下的紫外线可擦除EPROM的透明窗口。

通过芯片使能引脚在有源和待机状态之间切换可能会产生瞬态电压偏移。除非系统设计能够适应这些情况，否则这些瞬态可能会超出数据手册规定的限制，导致器件不符合要求。至少应为每个器件使用一个0.1μF的高频、低固有电感陶瓷电容器。该电容器应尽可能靠近器件连接在器件的VCC和接地端子之间。此外，为了稳定具有大型EPROM阵列的印刷电路板上的电源电压水平，应使用一个4.7μF的大容量电解电容器，同样连接在VCC和接地端子之间。该电容器应尽可能靠近电源连接到阵列的位置。

• 快速读取访问时间 - 90ns
• 低功耗CMOS操作
• 最大100μA待机电流
• 5MHz时最大40mA有源电流
• JEDEC标准封装
• 32引脚PLCC
• 32引脚600密耳PDIP和Cerdip
• 32引脚450密耳SOIC（SOP）
• 32引脚TSOP
• 5V ± 10%电源
• 高可靠性CMOS技术
• 2000V ESD保护
• 200mA闩锁抗扰度
• Rapid™编程算法 - 50μs/字节（典型值）
• CMOS和TTL兼容输入输出
• 集成产品识别码
• 工业和商业温度范围