S29XS064RABBHW010
64-Mbit、1.8V、同步读写突发模式闪存设备
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29XS064RABBHW010
- 商品编号
- C19578982
- 商品封装
- FBGA-44(5x7.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
商品特性
- 单1.8V读取、编程和擦除（1.7至1.95V）
- 具备VersatileIO™特性
- 器件根据VCCQ引脚上的电压生成数据输出电压并耐受数据输入电压
- 1.8V兼容I/O信号
- 地址和数据接口选项：
- 地址和数据复用以减少I/O数量（ADM）S29VS - R
- 高位地址、低位地址、数据复用以实现最少I/O数量（AADM）S29XS - R
- 同时读写操作：
- 可在一个存储体执行擦除/编程功能时从另一个存储体连续读取数据
- 读写操作之间零延迟
- 突发长度：
- 连续线性突发
- 8/16字线性突发且可环绕
- 安全硅扇区区域：
- 通过命令序列可访问256个字，其中128个字用于工厂安全硅扇区，128个字用于客户安全硅扇区
- 扇区架构：
- 最高地址范围有四个8千字扇区
- 一百二十七个32千字扇区
- 四个存储体
- 动态保护位（DYB）：
- 一种命令扇区保护方法，用于锁定单个扇区的组合，以防止该扇区内的编程或擦除操作
- 扇区可在VCC电平下在系统内锁定和解锁
- 硬件扇区保护：
- 当VPP = VIL时，所有扇区锁定
- 握手功能：
- 通过监控RDY为主机系统提供尽可能小的延迟
- 支持通用闪存接口（CFI）
- 采用65nm MirrorBit®工艺技术制造
- 循环耐久性：每个扇区典型值为100,000次循环
- 数据保留：典型值为10年
- 数据#轮询和切换位：
- 提供一种检测编程和擦除操作完成的软件方法
- 擦除暂停/恢复：
- 暂停擦除操作，以便从非擦除扇区读取数据或向其编程数据，然后恢复擦除操作
- 编程暂停/恢复：
- 暂停编程操作，以便从非编程扇区读取数据，然后恢复编程操作
- 封装：44球超薄FBGA