MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR
1Gb:x8/x16,3V嵌入式并行NOR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR
- 商品编号
- C19569586
- 商品封装
- LBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(128KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护 |
商品特性
- 单级单元（SLC）工艺技术
- 密度：1Gb
- 电源电压：
- VCC = 2.7 - 3.6V（编程、擦除、读取）
- VCCQ = 1.65 - VCC（I/O缓冲器）
- 异步随机/页读取
- 页大小：16字或32字节
- 页访问时间：20ns
- 随机访问时间：95ns（VCC = VCCQ = 2.7 - 3.6V）
- 随机访问时间：100ns（VCCQ = 1.65 - VCC）
- 缓冲编程（512字编程缓冲器）
- 使用全缓冲编程时为2.0MB/s（典型值）
- 使用加速缓冲编程（VHH）时为2.5MB/s（典型值）
- 字/字节编程：每字25μs（典型值）
- 块擦除（128KB）：0.2s（典型值）
- 内存组织：统一块，每个128KB或64KW
- x8/x16数据总线
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从另一个块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲器功能
- 空白检查操作以验证已擦除的块
- 循环冗余校验（CRC）操作以验证编程模式
- VPP/WP#保护
- 无论块保护设置如何，都可保护第一个或最后一个块
- 软件保护
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块
- 128字（256字节）块用于永久、安全识别
- 可在工厂或由客户进行编程或锁定
- 符合JESD47标准
- 每个块至少100,000次擦除循环
- 数据保留时间：20年（典型值）
- 封装：
- 56引脚TSOP，14×20mm（JS）
- 64球LBGA，11×13mm（PC）
- 符合RoHS标准，无卤素封装
- 工作温度：
- 环境温度：-40°C ~ +85°C
- SY100S302JC-TR
- 1808YA250100JKRU2X
- 18102000001
- 5142-154K
- SQM48T20010-NDBP
- T491B335K016AS
- C0805C473K2REC
- ERO-S2PHF13R7
- C907U309CZNDAAWL20
- MAX1452EVKIT-CS
- TMK432F475ZG-T
- PWR4412-2SBR1000F
- 1808JA250820KJRSYS
- 68797-414HLF
- 93992-434HLF
- E-TDA7342NTR
- KB16CKG01-5F12-JF
- LAV35VB560K
- 0219.250MXAE
- 2211YA250560JGTSYX
- GRM1556R1H5R1DZ01D