商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 过载保护;过流保护;短路保护;热保护;欠压保护 |
商品概述
为保护高端驱动器(HSD)免受电源线路恶劣工业条件的影响,通常使用光耦合器和瞬态电压抑制二极管(Transil)将应用控制电路与电源分离。VN808参考设计板采用适用于表面贴装组件的多通道光耦合器,该光耦合器由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,这种光耦合器的隔离电压为2500 VRMS。瞬态电压抑制二极管的钳位功能可保护HSD免受瞬态过电压的影响。参考设计板装配有单向瞬态电压抑制二极管,因为它们能保护HSD免受正负浪涌脉冲的影响。
商品特性
- 应用符合:IEC 61000 - 4 - 4(4kV)、IEC 61000 - 4 - 5(2kV)、IEC 61000 - 4 - 6(10kV)
- 16个输出通道,每通道最大0.5A
- 16个数字输入和2个数字输出
- 通过光耦合器实现电源与微控制器部分的去耦
- 板载DC/DC转换器
- 通过意法半导体(ST)的瞬态电压抑制二极管(Transil)进行浪涌/突发保护
- 工作温度 -25°C到85°C
- 电源电压最高35V
- 待机电流极低
应用领域
此参考设计板是意法半导体(ST)高端驱动器VN808的工业应用。该板符合电磁兼容性国际标准以及抗扰度测试要求,已在不同典型环境温度下进行测试。该参考设计适用于可编程逻辑控制器,可根据IEC标准产生相关数字输出。

