- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NAND256W3A0AN6E
NAND闪存存储器，高达1Gbit存储阵列，x8或x16总线宽度，1.8V/3V供电
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- NAND256W3A0AN6E
- 商品编号
- C19562607
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 |
商品特性
- 高密度NAND闪存
- 高达1 Gbit的存储阵列
- 高达32 Mbit的备用区域
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- NAND接口：x8或x16总线宽度，复用地址/数据，所有密度的引脚兼容
- 供电电压：1.8V器件，VDD = 1.7至1.95V；3.0V器件，VDD = 2.7至3.6V
- 页面大小：x8器件，(512 + 16备用)字节；x16器件，(256 + 8备用)字
- 块大小：x8器件，(16K + 512备用)字节；x16器件，(8K + 256备用)字
- 页面读取/编程：随机访问，12μs（最大）；顺序访问，50ns（最小）；页面编程时间，200μs（典型）
- 回写编程模式：无需外部缓冲的快速页面复制
- 快速块擦除：块擦除时间，2ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“不关心”选项
- 与微控制器的简单接口
- 上电时自动读取页面0选项：支持从NAND启动，自动内存下载
- 序列号选项
- 硬件数据保护：电源转换期间编程/擦除锁定
- 数据完整性：100,000次编程/擦除循环，10年数据保留
- 开发工具：纠错码软件和硬件模型，坏块管理和损耗均衡算法，带仿真软件的PC演示板，文件系统操作系统原生参考软件，硬件仿真模型
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- 1808YA250561MJTUYX
- 1812YA250151KSTUYX
- B048F080M24
- 10042774-002LF
- 1808YA250181JJRSYX
- ECO-S1VA223EA
- 91276-112HLF
- ASTMUPCE-33-156.250MHZ-LY-E-T
- D38999/24LD97BA
- PV37W500A01B00
- 10073456-063LF
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