- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STH250N55F3-6
STH250N55F3-6
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH250N55F3-6
- 商品编号
- C19559436
- 商品封装
- H2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.45nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道STripFETTM III功率MOSFET技术属于最新改进技术之一,专门设计用于最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能。
商品特性
- 数值受封装限制
- 超低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用