立创商城logo
购物车0
DS3070W-100#引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DS3070W-100#

3.3V单芯片16Mb带时钟的非易失性SRAM

商品型号
DS3070W-100#
商品编号
C19555219
商品封装
BGA-256(27x27)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录nvSRAM(掉电保持)
属性参数值
功能特性自动存储功能;低电压自动写保护

商品概述

DS3070W由静态随机存取存储器(SRAM)、非易失性(NV)控制器、符合2000年标准的实时时钟(RTC)和内部可充电锰锂电池(ML)组成。这些组件封装在一个具有256球BGA封装的表面贴装模块中。当Vcc施加到模块时,它会对ML电池进行充电,通过外部电源为时钟和SRAM供电,并允许修改时钟寄存器或SRAM的内容。当Vcc掉电或超出容差范围时,控制器会对内存内容进行写保护,并通过电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还包含一个电源监控输出(RST)以及一个用户可编程中断输出(IRQ/FT)。

商品特性

  • 单芯片、可回流焊、27mm×27mm BGA封装尺寸
  • 内部锰锂电池和充电器
  • 集成实时时钟
  • 当Vcc超出容差范围时,无条件对时钟和SRAM进行写保护
  • 当Vcc电源故障时,自动切换到电池供电
  • 复位输出可作为CPU监控器
  • 中断输出可作为CPU看门狗定时器
  • 工业温度范围(-40°C ~ +85°C)
  • UL认证

应用领域

  • RAID系统和服务器
  • 游戏
  • 销售点终端
  • 火灾报警器
  • 工业控制器
  • 可编程逻辑控制器(PLC)
  • 数据采集系统
  • 路由器/交换机

数据手册PDF