DS3070W-100#
3.3V单芯片16Mb带时钟的非易失性SRAM
- 商品型号
- DS3070W-100#
- 商品编号
- C19555219
- 商品封装
- BGA-256(27x27)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能;低电压自动写保护 |
商品概述
DS3070W由静态随机存取存储器(SRAM)、非易失性(NV)控制器、符合2000年标准的实时时钟(RTC)和内部可充电锰锂电池(ML)组成。这些组件封装在一个具有256球BGA封装的表面贴装模块中。当Vcc施加到模块时,它会对ML电池进行充电,通过外部电源为时钟和SRAM供电,并允许修改时钟寄存器或SRAM的内容。当Vcc掉电或超出容差范围时,控制器会对内存内容进行写保护,并通过电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还包含一个电源监控输出(RST)以及一个用户可编程中断输出(IRQ/FT)。
商品特性
- 单芯片、可回流焊、27mm×27mm BGA封装尺寸
- 内部锰锂电池和充电器
- 集成实时时钟
- 当Vcc超出容差范围时,无条件对时钟和SRAM进行写保护
- 当Vcc电源故障时,自动切换到电池供电
- 复位输出可作为CPU监控器
- 中断输出可作为CPU看门狗定时器
- 工业温度范围(-40°C ~ +85°C)
- UL认证
应用领域
- RAID系统和服务器
- 游戏
- 销售点终端
- 火灾报警器
- 工业控制器
- 可编程逻辑控制器(PLC)
- 数据采集系统
- 路由器/交换机
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