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S70GL02GP11FFIR20

2 Gbit, 3V Page Mode Flash

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S70GL02GP11FFIR20
商品编号: C19554553
商品封装: FBGA-64(11x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

赛普拉斯S70GL02GP 2 Gbit Mirrorbit闪存设备采用90纳米工艺技术制造。该设备提供25 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间为110 ns。它具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程32个字/64字节，与标准单字节/字编程算法相比，有效编程时间更快。这使得该设备成为当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用的理想产品。

商品特性

单个64球加固BGA封装中包含两个1024 Mbit（S29GL01GP）芯片（完整规格请参阅S29GL01P数据手册）
单3V读取/编程/擦除（3.0V - 3.6V）
90纳米MirrorBit工艺技术
8字/16字节页面读取缓冲区
32字/64字节写缓冲区可减少多字写入的整体编程时间
安全硅扇区区域
128字/256字节扇区，通过8字/16字节随机电子序列号实现永久、安全的识别
可在工厂或由客户进行编程和锁定
统一的64K字/128K字节扇区架构
S70GL02GP：2048个扇区
每个扇区典型擦除次数为100,000次
典型数据保留时间为20年
提供64球加固BGA封装
编程和擦除操作支持暂停和恢复命令
写操作状态位指示编程和擦除操作完成
解锁旁路编程命令可减少编程时间
支持通用闪存接口（CFI）
高级扇区保护采用持久和密码方法
WP#/ACC输入：
- 施加V_ACC时可加速编程时间，提高系统生产期间的吞吐量
- 无论扇区保护设置如何，均可保护每个芯片的第一个或最后一个扇区
硬件复位输入（RESET#）可复位设备
就绪/忙#输出（RY/BY#）可检测编程或擦除周期完成

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	2Gbit
	工作电压	3V~3.6V
	待机电流	2uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	块擦除时间(tBE)	500ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃