M41T315V-85MH6F

M41T315Y/V/W实时时钟监控器集成了CMOS计时芯片和非易失性存储器监控器。存储器监控器持续监测电源状态。在电源不稳定或断电的情况下，外部电池会维持计时功能，并为CMOS静态随机存取存储器（SRAM）供电，同时启动写保护功能，防止存储器和实时时钟（RTC）中的数据损坏。 时钟可记录十分之一/百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月和年的信息。对于少于31天的月份，时钟会自动调整月末日期，包括闰年校正。 时钟有两种工作模式： 12小时制，带上午/下午指示； 或 24小时制 非易失性监控器提供所有必要的支持电路，可将CMOS随机存取存储器转换为非易失性存储器。M41T315Y/V/W可与随机存取存储器无缝连接。 M41T315Y/V/W采用28引脚SOIC卡扣式封装（在单个卡扣式顶部集成了晶体和电池）或16引脚SOIC封装。28引脚、330密耳的SOIC封装两端提供镀金触点的插座，可直接连接包含电池和晶体的独立卡扣式外壳。这种独特的设计允许在表面贴装工艺完成后，将卡扣式电池/晶体封装安装在SOIC封装的顶部。 回流焊后插入卡扣式外壳可避免因器件表面贴装所需的高温对电池和晶体造成潜在损坏。卡扣式外壳还设有防反插设计。

• 工作电压：3.0V、3.3V或5.0V
• 实时时钟可记录十分之一/百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月和年的信息
• 自动闰年校正，有效期至2100年
• 自动切换和取消选择电路
• 可选掉电取消选择电压：（VPFD = 掉电取消选择电压）– M41T315Y(a)：VCC = 4.5至5.5V 4.25V ≤ VPFD ≤ 4.50V – M41T315V：VCC = 3.0至3.6V 2.80V ≤ VPFD ≤ 2.97V – M41T315W：VCC = 2.7至3.3V 2.60V ≤ VPFD ≤ 2.70V与实时时钟通信无需地址空间
• 为静态随机存取存储器（SRAM）的电池备份提供非易失性监控功能
• VCC工作范围为±10%
• 工业级工作温度范围（–40至+85℃）
• 电池供电电流超低，最大为500nA
• 可选封装包括28引脚SOIC封装和卡扣式顶部（需单独订购）卡扣式封装可直接连接包含电池和晶体的卡扣式顶部
• 符合RoHS标准 – 二级互连无铅