IS25WD020-JBLE-TR

IS25WD020/040是2 Mbit / 4 Mbit串行外设接口（SPI）闪存，提供单输出或双输出。该器件设计用于在正常读取模式下支持30 MHz时钟频率，在快速读取模式下支持80 MHz时钟频率，为行业内最快。该器件使用单一低电压电源，工作电压范围为1.65 V至1.95 V，可执行读取、擦除和编程操作。该器件可在标准EPROM编程器中进行编程。 IS25WD020/040通过一个由串行数据输入/输出（SIO）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问。它们符合所有公认的命令代码和操作。双输出快速读取操作可提供160 MHz的有效串行数据速率。 该器件支持页编程模式，一次编程操作可将1至256字节的数据编程到存储器中。这些器件被划分为统一的4 KByte扇区或统一的64 KByte块。 IS25WD020/040采用pFLASH™的先进非易失性技术制造。该器件提供8引脚SOIC 208mil、8引脚SOIC 150mil、8引脚VVSOP 150mil和8引脚WSON封装。该器件可在-40°C至+105°C的宽温度范围内工作。

• 单电源供电
• 低电压范围：1.65 V - 1.95 V
• 存储器组织
• IS25WD020：256K x 8（2 Mbit）
• IS25WD040：512K x 8（4 Mbit）
• 经济高效的扇区/块架构
• 2 Mbit：统一的4 KByte扇区/四个统一的64 KByte块
• 4 Mbit：统一的4 KByte扇区/八个统一的64 KByte块
• 兼容串行外设接口（SPI）
• 支持单输出或双输出
• 支持SPI模式0和3
• 正常读取的最大时钟频率为30 MHz
• 快速读取的最大时钟频率为80 MHz
• 页编程（最多256字节）操作
• 每页编程典型时间为2 ms
• 扇区、块或芯片擦除操作
• 扇区、块或芯片擦除典型时间为1.7 ms
• 低功耗
• 典型的有源读取电流为2 mA
• 典型的编程/擦除电流为6 mA
• 硬件写保护
• 通过写保护（WP#）引脚保护和取消保护器件的写操作
• 软件写保护
• 块保护（BP2、BP1、BP0）位允许将部分或整个存储器配置为只读
• 高产品耐久性
• 单个扇区保证200,000次编程/擦除循环
• 数据保留时间至少20年
• 工业标准引脚排列和封装
• 8引脚SOIC 208mil
• 8引脚SOIC 150mil
• 8引脚VVSOP 150mil
• 8引脚WSON
• 裸片（联系工厂）
• 无铅（Pb-free）封装
• 提供汽车级温度范围