- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M93C46-RDS6TG
MICROWIRE串行访问EEPROM
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M93C46-RDS6TG
- 商品编号
- C19550346
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
这些电可擦除可编程存储器（EEPROM）器件通过串行数据输入（D）和串行数据输出（Q）使用MICROWIRE总线协议进行访问。存储器阵列组织可分为字节（x8）或字（x16），可通过组织选择（ORG）上施加的信号进行选择。M93C06仍在生产中，但不推荐用于新设计。
商品特性
- 符合行业标准的MICROWIRE总线
- 单电源电压：M93Cx6为4.5V至5.5V；M93Cx6-W为2.5V至5.5V；M93Cx6-R为1.8V至5.5V
- 双重组织方式：按字（x16）或字节（x8）
- 编程指令适用于字节、字或整个存储器
- 自定时编程周期，带自动擦除
- 编程期间提供就绪/忙信号
- 速度：1MHz时钟频率、10ms写入时间（工艺标识字母F或M的当前产品）；2MHz时钟频率、5ms写入时间（工艺标识字母W的新产品）
- 顺序读取操作
- 增强的ESD/闩锁性能
- 超过100万次擦除/写入循环
- 超过40年数据保留期
- 封装类型：PDIP8（BN）、SO8（MN，150密耳宽度）、TSSOP8（DS，3×3mm尺寸）、TSSOP8（DW，169密耳宽度）
- 读取指令将首个字节或字的地址加载到内部地址寄存器，数据串行输出；地址寄存器在数据输出后自动递增，若芯片选择输入（S）保持高电平，可输出连续数据流；地址计数器在达到最高地址时自动回滚至00h
- 编程为内部自定时，写入指令前无需擦除周期；写入指令一次写入8或16位到M93Cx6的一个字节或字位置；编程周期开始后，当芯片选择输入（S）被驱动为高电平时，串行数据输出（Q）上可获得忙/就绪信号
- 内部上电数据保护机制在电源过低时禁止器件工作