- 引脚图
- 焊盘图
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STGD3NB60FT4
STGD3NB60FT4
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD3NB60FT4
- 商品编号
- C19549757
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 24A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V；1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 230pF | |
| 输出电容(Coes) | 33pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 230ns；105ns | |
| 导通损耗(Eon) | 31uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 125uJ；295uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 45ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用基于专利条形布局的最新高压技术设计的Power-MESH™ IGBTs系列具有出色的性能。后缀“F”标识为频率应用（<40 KHz）优化的系列，可实现极低的开关时间。
商品特性
- 高输入阻抗（电压驱动）
- 低导通压降（Vcesat）
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 关断损耗包括尾电流
- 高频工作
- 短路额定
应用领域
- 电机控制
- 硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）
- 10073456-024LF
- SMD2920P075TFA
- 9250-561
- 94674-272LF
- AT24C08A-10TI-2.7
- D8M-A1
- SCD20PUN
- SDR0602-820KL
- 1808YA250181MJTSYX
- 768163182G
- 1808YA250181KJRSYX
- 4601-000
- ASTMUPCFL-33-80.000MHZ-EJ-E-T
- N25Q128A13B1240F
- 1808JA250470JKTSYS
- 1812YA250391KJRUYX
- 1812YA250392MJTSYS
- ASCSM-13.000MHZ-LR-T
- IP4253CZ8-4,118
- 67998-150HLF
- M29W640GB70ZS6E