- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M27V160-100M1
16 Mbit 低压紫外线可擦除可编程只读存储器和一次性可编程只读存储器
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M27V160-100M1
- 商品编号
- C19542345
- 商品封装
- SO-44
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) | |
| 存储器构架(格式) | MASK ROM | |
| 存储容量 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 电子签名功能 |
商品概述
M27V160是一款低压16 Mbit EPROM，提供UV（紫外线擦除）和OTP（一次性可编程）两种类型。它可配置为2 M字×8位或1 M字×16位的组织形式，引脚布局与16 Mbit掩模ROM兼容。
商品特性
- 读取操作电压范围为3V至3.6V
- 访问时间为100 ns
- 可配置为字节宽或字宽模式
- 可替代16 Mbit掩模ROM
- 低功耗：8 MHz时工作电流为30 mA，待机电流为60 μA
- 编程电压为12.5V±0.25V
- 编程时间为每字50 μs
- 电子签名：制造商代码20h，器件代码B1h
- 读取模式下工作电压可低至3V
- 读取模式仅需单电源供电
- 输入接口兼容TTL标准（Vpp和用于电子签名的A9引脚的12V信号除外）
- 通过BYTE Vpp引脚选择组织形式：VIH时为字宽模式（Q15A-1作为数据输出），VIL时为字节宽模式（Q15A-1作为地址输入A-1）
- 字节宽模式下（逻辑16位视图）：A-1为VIL时选择低8位，A-1为VIH时选择高8位
- 数据输出需两个控制功能：芯片使能（\overline{E}）作为电源控制和器件选择，输出使能（\overline{G}）作为输出控制（独立于器件选择）
- 地址访问时间（tAVQV）等于\overline{E}到输出的延迟（tELQV）；数据在\overline{G}下降沿后延迟tGLQV可用
- FDIP42W（带窗口的陶瓷熔封封装）支持紫外线擦除以重新编程
- OTP版本提供PDIP42、SDIP42、PLCC44和SO44封装
- 提供ECOPACK封装（无铅）
应用领域
- 适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统