AOSD26313C
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 最新先进沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 符合RoHS和无卤标准
- 100%进行UIS测试
- 100%进行栅极电阻Rg测试
- 绿色产品
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池充放电保护