NAND01GW3B2AZA6E
1-Gbit、2-Gbit，2112字节/1056字页，1.8V/3V NAND闪存
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- NAND01GW3B2AZA6E
- 商品编号
- C19527231
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高达2 Gbit的存储阵列
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- x8或x16总线宽度
- 复用地址/数据
- 所有密度的引脚兼容
- 电源电压：1.8 V/3.0 V
- x8设备：(2048 + 64备用)字节
- x16设备：(1024 + 32备用)字
- x8设备：(128 K + 4 K备用)字节
- x16设备：(64 K + 2 K备用)字
- 随机访问：25 μs（最大）
- 顺序访问：30 ns（最小）
- 页面编程时间：200 μs（典型）
- 回写编程模式
- 缓存编程和缓存读取模式
- 快速块擦除：2 ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- 硬件块锁定
- 电源转换期间硬件编程/擦除锁定
- 每块100 000次编程/擦除周期（带ECC）
- 10年数据保留
- 纠错码模型
- 坏块管理和磨损均衡算法
- 硬件仿真模型
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