M45PE40-VMP6G
4-Mbit页可擦除串行闪存,支持字节修改,具备75 MHz SPI总线接口
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M45PE40-VMP6G
- 商品编号
- C19525967
- 商品封装
- VDFPN-8(5x6)(MLP8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 75MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M45PE40是一款4兆位(512千位x8位)的串行分页闪存,可通过高速SPI兼容总线访问。 该存储器可使用页写入或页编程指令,一次写入或编程1至256字节。页写入指令包括一个集成的页擦除周期,随后是一个页编程周期。 该存储器被组织为8个扇区,每个扇区包含256页。每页宽度为256字节。因此,整个存储器可视为由2048页或524288字节组成。 该存储器可使用页擦除指令一次擦除一页,或使用扇区擦除指令一次擦除一个扇区。
商品特性
- 兼容SPI总线的串行接口
- 75 MHz时钟速率(最大值)
- 2.7 V至3.6 V单电源电压
- 4兆位页可擦除闪存
- 页大小:256字节
- 页写入时间11 ms(典型值)
- 页编程时间0.8 ms(典型值)
- 页擦除时间10 ms(典型值)
- 扇区擦除(64千字节)
- 底部扇区(64千字节)的硬件写保护
- 电子签名
- JEDEC标准双字节签名(4013h)
- 仅在T9HX工艺中,应客户要求可提供16字节的唯一ID代码(UID)
- 深度掉电模式1 μA(典型值)
- 超过100000次写入周期
- 超过20年的数据保留期
- ECOPACK(符合RoHS标准)
- VFQFPN8(MP)6×5 mm(MLP8)
- SO8W(MW)208密耳宽
- SO8N(MN)150密耳宽
- UMK325C7106MM-P
- 0AGX002.V
- 2211YA250271JSTSYX
- 2220JA250331MSTUYX
- 75915-841HLF
- D38999/20KJ24HB-LC
- MS27467T15B18PD-LC
- 1111J5001P30HUT
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- ELC-06D100E
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