商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是采用STripFETTM III技术生产的N沟道增强型功率MOSFET,专门设计用于降低导通电阻和栅极电荷,以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 该值根据Rthj-pcb进行额定
- 改善芯片与封装尺寸比
- 超薄封装(最大厚度1mm)
- 极低的热阻
- 低导通电阻
应用领域
- 开关应用
- 10143716-211KLF
- 1808JA250271KJRSYS
- 2220JA250471KJTUYX
- 76RSB07S
- A22L-GG-6D-01M
- GRM1556R1H8R3CZ01D
- SRN4012-2R2M
- 0603CC-7N5EJTS
- CTX0.68-2A-R
- L-15W36NGV4E
- 1808YA250100GGRUYX
- 4608X-104-181/391
- AT24C01A-10SU-2.7
- DHR4E4B331K2BB
- SFJEL1000105MX1
- T1812-102J
- CDR32BP151BFUSAJ
- MCR10ERTF3653
- 4608X-102-393
- 64991-G36-4RLF
- 64991-G39-4LF