DS1245YL-70IND
1024K非易失性SRAM
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- 商品型号
- DS1245YL-70IND
- 商品编号
- C19524915
- 商品封装
- LPM-34
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |
商品概述
DS1245 1024K 非易失性 SRAM 是 1,048,576 位、全静态、非易失性 SRAM，组织形式为 131,072 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护，以防止数据损坏。写周期次数没有限制，并且与微处理器接口不需要额外的支持电路。
商品特性
- 外部电源缺失时，数据至少可保留 10 年，掉电时数据自动保护
- 无限次写周期
- 低功耗 CMOS
- 读写访问时间最快可达 70 ns
- 锂能源在首次通电前电气断开，以保持新鲜度
- 全 ±10% Vcc 工作范围（DS1245YL）
- 可选 ±5% VCC 工作范围（DS1245BL）
- 可选工业温度范围 -40°C 至 +85°C，标记为 IND
- 薄型模块（LPM）封装
- 可适配标准 68 引脚 PLCC 表面贴装插座
- 封装高度 250 mil