商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
该器件是采用STripFET V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FOM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装
- 4V驱动
应用领域
- 开关
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