MX25L12835EZNI-10G
128M位CMOS串行多I/O闪存存储器
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L12835EZNI-10G
- 商品编号
- C19522225
- 商品封装
- WSON-8(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 1.4ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 700ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 通用特性：
- 兼容串行外设接口，支持模式0和模式3
- 具有134217728×1位结构，或67108864×2位（双I/O模式）结构，或33554432×4位（四I/O模式）结构
- 4096个相等的扇区，每个扇区4K字节
- 任何扇区可单独擦除
- 512个相等的块，每个块32K字节
- 任何块可单独擦除
- 256个相等的块，每个块64K字节
- 任何块可单独擦除
- 电源操作：读、擦除和编程操作电压为2.7~3.6伏
- 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
- 性能特性：
- 高性能，VCC = 2.7~3.6V
- 正常读取：50MHz
- 快速读取：
- 单I/O：104MHz，8个空周期
- 双I/O：2READ指令70MHz，4个空周期；DREAD指令70MHz，8个空周期
- 四I/O：4READ指令70MHz，6个空周期；QREAD指令70MHz，8个空周期
- 快速编程时间：每页（每页256字节）典型值1.4ms，最大值5ms
- 字节编程时间：典型值12μs
- 8/16/32/64字节环绕突发读取模式
- 连续编程模式（字编程模式下自动增加地址）
- 快速擦除时间：每个扇区（每扇区4K字节）典型值60ms；每个块（每块64K字节）典型值0.7s；整个芯片典型值80s
- 低功耗：
- 低活跃读取电流：104MHz时最大19mA，66MHz时最大15mA，33MHz时最大10mA
- 低活跃编程电流：最大25mA
- 低活跃擦除电流：最大25mA
- 低待机电流：最大100μA
- 深度掉电电流：最大40μA
- 最少100000次擦除/编程循环
- 20年数据保留
- 软件特性：
- 输入数据格式：1字节命令码
- 高级安全特性：
- BP0 - BP3块组保护
- 当OTP WPSEL = 1时，灵活的单个块保护
- 额外的4K位安全OTP用于唯一标识符
- 自动擦除和自动编程算法：
- 自动擦除并验证所选扇区的数据
- 通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动确定编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先处于擦除状态）
- 状态寄存器特性：电子识别
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- RES命令用于1字节设备ID
- REMS、REMS2、REMS4命令用于1字节制造商ID和1字节设备ID
- 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
- 硬件特性：
- SCLK输入：串行时钟输入
- SI/SIO0：串行数据输入，或用于2×I/O模式和4×I/O模式的串行数据输入/输出
- SO/SIO1：串行数据输出，或用于2×I/O模式和4×I/O模式的串行数据输入/输出
- WP#/SIO2：硬件写