IRF6794MTR1PBF
IRF6794MTR1PBF
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6794MTR1PBF
- 商品编号
- C19519350
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF |
商品概述
IRF6794MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合,在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可最大限度地提高电力系统中的热传递效率,使之前的最佳热阻降低80%。 IRF6794MPbF在实现业界领先的导通电阻的同时,还能将栅极电荷降至最低,并具有低栅极电阻,从而降低传导损耗和开关损耗。该器件集成了一个肖特基二极管,可降低体漏二极管的反向恢复电荷(Qrr),进一步减少同步降压电路中的损耗。这些降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载(如最新一代微处理器)供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6794MPbF针对同步降压转换器同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- 符合RoHS标准,无铅和溴
- 集成单片肖特基二极管
- 低外形(<0.7 mm)
- 支持双面散热
- 封装电感低
- 针对高频开关进行优化
- 传导和开关损耗低
- 与现有的表面贴装技术兼容
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- CPU核心DC - DC转换器
- 同步降压转换器的同步FET插槽