M27V800-100F1

8Mbit低电压紫外线可擦除可编程只读存储器和一次性可编程只读存储器

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M27V800-100F1
商品编号: C19512944
商品封装: CDIP-42
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M27V800是一款低电压8Mbit EPROM，提供紫外线擦除（UV）和一次性可编程（OTP）两种类型。它非常适合需要大容量数据或程序存储的微处理器系统，可组织为1M字×8位或512K字×16位，引脚兼容8Mbit掩膜ROM。该产品在读取模式下的工作电压低至3V，降低了工作功耗，可减小电池尺寸或延长充电间隔。FDIP42W（窗口陶瓷熔封封装）带有透明盖，用户可通过紫外线照射擦除位模式，之后可快速写入新图案。对于仅需一次编程且无需擦除的应用，M27V800提供PDIP42、SO44和PLCC44封装。

商品特性

读取操作电压范围为3V至3.6V低电压
访问时间为100ns
可配置字节宽或字宽
低功耗：工作电流30mA@8MHz，待机电流20μA
编程电压为12.5V±0.25V
编程时间为100μs/字
电子签名：制造商代码20h，设备代码B2h
封装类型包括FDIP42W(F)、PDIP42(B)、PLCC44(K)、SO44(M)
读取模式仅需单电源
除VPP和A9上的12V外，所有输入均兼容TTL
待机模式：通过向E输入施加CMOS高信号进入，输出处于高阻抗状态，电流降至20μA
两线输出控制：支持多存储器连接，实现最低功耗并避免总线冲突

应用领域

适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	非易失性存储器(ROM)
	存储器构架(格式)	EPROM
	存储容量	-

	属性	参数值
	工作电压	3V~3.6V
	功能特性	电子签名功能