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SMK0460FN
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,600V,4A,2.5Ω@10V
- 商品型号
- SMK0460FN
- 商品编号
- C206837
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 848pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.2pF | |
| 输出电容(Coss) | 71pF |
商品特性
- 高电压:BV\textDSS = 600V(最小值)
- 低 C\textrss:C\textrss = 9.8 pF(典型值)
- 低栅极电荷:Qg = 12nC(典型值)
- 低 RDS(on):RDS(on) = 2.5 Ω(最大值)
应用领域
-办公和通信设备-测量设备-家用电器