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SNN1000L10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:14.6A
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- 描述
- N沟道,100V,14.6A,110m?@4.5V
- 商品型号
- SNN1000L10D
- 商品编号
- C206829
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.461克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.028nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品特性
- 漏源击穿电压：BVDSS = 100 V
- 低栅极电荷器件
- 低漏源导通电阻：RDS(on) = 68 mΩ（典型值）
- 先进的沟槽工艺技术
- 高雪崩能量，100%测试