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NTJD4001NT1G
2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4001NT1G
- 商品编号
- C190019
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.0V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 272mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
5+￥0.5071
50+￥0.41
150+￥0.3615
500+￥0.3251
3000+￥0.2684￥805.2
6000+￥0.2538￥761.4
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
5,225
江苏仓
1,290
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交100单
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