- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NAND02GW3B2AN6F
1Gbit、2Gbit，2112Byte/1056Word页，1.8V/3V，NAND闪存
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- NAND02GW3B2AN6F
- 商品编号
- C19504941
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；复制回写功能；软件写保护功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 高密度NAND闪存
- 高达2 Gbit存储阵列
- 高达64 Mbit备用区域
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- x8或x16总线宽度
- 复用地址/数据
- 所有密度的引脚兼容性
- 1.8V器件：VDD = 1.7至1.95V
- 3.0V器件：VDD = 2.7至3.6V
- x8器件：(2048 + 64备用)字节
- x16器件：(1024 + 32备用)字
- x8器件：(128K + 4K备用)字节
- x16器件：(64K + 2K备用)字
- 随机访问：25μs（最大）
- 顺序访问：50ns（最小）
- 页面编程时间：300μs（典型）
- 无外部缓冲的快速页面复制
- 内部缓存寄存器可提高编程和读取吞吐量
- 块擦除时间：2ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”，便于与微控制器简单接口
- 序列号选项
- 硬件和软件块锁定
- 电源转换期间硬件编程/擦除锁定
- 100,000次编程/擦除循环
- 10年数据保留
- ECOPACK封装
- 纠错码软件和硬件模型
- 坏块管理和损耗均衡算法
- 文件系统操作系统原生参考软件
- 硬件仿真模型
- 1812JA250332KSTSYS
- BK/C515S-1-R
- PM20S-R68M
- 160R18W105KV4E
- VE-274-MY
- AHA106M25B12B-F
- GQM1885C1H220FB01J
- NCR-25KR-52-91R
- FCP1913H473J-E1
- W25Q128FVTIG TR
- 1812YA250102MJTUYS
- 64991-S32-4RLF
- C3225Y5V1C476Z
- EVK105RH1R2BW-F
- KSC401J 50 SH
- LSH-1-01-B
- 0412CDMCBDS-1R5MC
- 54101-G3015LF
- ASTMUPCFL-33-25.000MHZ-LY-E-T
- FCP1913H683G-E2
- KT11P4SA2M33