STB11N52K3
STB11N52K3
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB11N52K3
- 商品编号
- C19500889
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这些器件为采用 SuperMESH 3 技术制造的 N 沟道功率 MOSFET,该技术是对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH TM 技术进行改进,并结合全新优化的垂直结构而得。由此产生的晶体管具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,特别适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改进的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
