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STB11N52K3

STB11N52K3

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商品型号
STB11N52K3
商品编号
C19500889
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

这些器件为采用 SuperMESH 3 技术制造的 N 沟道功率 MOSFET,该技术是对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH TM 技术进行改进,并结合全新优化的垂直结构而得。由此产生的晶体管具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,特别适用于要求最为严苛的应用场景。

商品特性

  • 100% 雪崩测试
  • 极高的 dv/dt 能力
  • 栅极电荷最小化
  • 极低的本征电容
  • 改进的二极管反向恢复特性
  • 齐纳保护

应用领域

  • 开关应用

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