SPD50N03S2L06T
SPD50N03S2L06T
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD50N03S2L06T
- 商品编号
- C19498278
- 商品封装
- TO-252-3-11
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 990pF |
商品概述
NexFET功率MOSFET旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对5V栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 高额定电流
- 出色的栅极电荷x导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)
- 卓越的热阻性能
- 工作温度可达175°C
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压-针对同步FET应用进行优化
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