AON6442
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 168A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AON6442采用沟槽式MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Crss极低,功率损耗得以最小化。此外,采用“肖特基式”软恢复体二极管,可很好地控制开关特性。
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅源保护二极管。
- 小型表面贴装封装(SOP8)。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- ASTMUPLDV-312.500MHZ-LY-E-T3
- HLMP-CE31-SVQ00
- CCL-CRS10R/G
- EYP-2MT102A
- NAND512R3A2SZAXE
- 1808JA250151KGTUYX
- 94611-130HLF
- DEMOBOARD PROFET
- 70IMX35D05D15-8
- AS5050 AB
- GRM0337U1H5R4CD01D
- SCX147-150
- TV07RW-17-35JC-LC
- 1808JA250101FGRU2X
- 9220-02
- 9802-05-10
- ASTMUPCV-33-30.000MHZ-EY-E-T3
- CM252016-5R6KL
- FAR-F6KA-1G9500-D4CD-Z
- M24M01-RCS6TP/A
- 4632-RC

