S29AL016J70FFN020
S29AL016J70FFN020
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29AL016J70FFN020
- 商品编号
- C19491895
- 商品封装
- FBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 0.2uA | |
| 擦写寿命 | 1000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 架构优势：
- 单电源操作，全电压范围：2.7至3.6伏，适用于电池供电应用的读写操作
- 采用110 nm工艺技术制造，与200 nm S29AL016D完全兼容
- 安全硅扇区区域，128字/256字节扇区，通过8字/16字节随机电子序列号进行永久、安全识别，可通过命令序列访问，可在工厂或由客户编程和锁定
- 灵活的扇区架构，字节模式下有一个16 Kbyte、两个8 Kbyte、一个32 Kbyte和三十一个64 Kbyte扇区；字模式下有一个8 Kword、两个4 Kword、一个16 Kword和三十一个32 Kword扇区
- 扇区组保护功能，硬件方法锁定扇区，防止该扇区内的任何编程或擦除操作，扇区可在系统内或通过编程设备锁定，临时扇区解锁功能允许在先前锁定的扇区中进行代码更改
- 解锁旁路编程命令，减少发出多个编程命令序列时的总体编程时间
- 提供顶部或底部引导块配置
- 与JEDEC标准兼容，引脚和软件与单电源闪存兼容，具有出色的意外写入保护
- 性能特性：
- 高性能，访问时间最快可达55 ns，适用于汽车（AEC - Q100 Grade 3，-40℃至+85℃；AEC - Q100 Grade 1，-40℃至+125℃）、工业温度范围（-40℃至+85℃）和扩展温度范围（-40℃至+125℃）
- 超低功耗（5 MHz典型值），自动睡眠模式电流0.2 μA，待机模式电流0.2 μA，读取电流7 mA，编程/擦除电流20 mA
- 循环耐久性：每个扇区典型值为1,000,000次循环
- 数据保留：典型值为20年
- 软件特性：
- 符合CFI（通用闪存接口），为系统提供设备特定信息，允许主机软件轻松为不同闪存设备重新配置
- 擦除暂停/擦除恢复，暂停擦除操作以从非擦除扇区读取数据或向其编程数据，然后恢复擦除操作
- 数据#轮询和切换位，提供检测编程或擦除操作完成的软件方法
- 硬件特性：
- 就绪/忙#引脚（RY/BY#），提供检测编程或擦除周期完成的硬件方法
- 硬件复位引脚（RESET#），硬件方法将设备复位到读取阵列数据状态
- WP#输入引脚，对于引导扇区设备，在VIL时，根据引导配置（顶部引导或底部引导）保护第一个或最后一个16 Kbyte扇区
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